32μm 10G InGaAs Fotodióda TO46

 

 

• Vysoká odozva (väčšia alebo rovná 0,7 A/W): Zabezpečuje efektívnu konverziu signálu a znižuje spotrebu energie pri{0}}výrobe optických modulov vo veľkom meradle-ideálne pre veľkoobchodných zákazníkov InGaAs Photodiode TO46 zameraných na energetickú účinnosť.

• Nízky tmavý prúd (menší alebo rovný 1nA @ 5V): Minimalizuje šum signálu, ktorý je kritický pre-vysoko presné telekomunikačné a snímacie aplikácie. Táto výhoda znižuje mieru zlyhania pri hromadných nasadeniach.

• Nízka kapacita (menší alebo rovná 0,25 pF): Umožňuje stabilný výkon šírky pásma 10G, ktorý spĺňa požiadavky na rýchlosť modulov 10G SFP+ a sietí dátových centier.

• Balíček pre laserové zváranie a TO{0}}CAN: Zvyšuje mechanickú stabilitu a tepelnú odolnosť (prevádzková teplota -40~85 stupňov), zaisťuje dlhú životnosť (viac ako 50 000 hodín) a znižuje náklady na výmenu pri hromadnom nákupe klientov InGaAs Photodiode.

• Nízka návratová strata (väčšia alebo rovná 35 dB): Znižuje odraz signálu a zlepšuje integritu systému,{0}}ktorá je nevyhnutná pre projekty telekomunikačnej infraštruktúry.

 

 

• Telekom siete: Kompatibilné so systémami SDH/SONET, podporujúce-vysokorýchlostný príjem signálu v dlhých{1}}prepojeních z optických vlákien-ideálne pre vysoké spoľahlivosť 32μm InGaAs Fotodióda pre telekomunikačné obstarávanie.

• Optické moduly 10G SFP+: Používa sa v transceiveroch dátových centier na konverziu optických signálov na elektrické signály s nízkou kapacitou (menej ako alebo rovnajúcej sa 0,25 pF), ktorá zaisťuje minimálnu stratu signálu.

• Snímanie optických vlákien: Ideálne pre priemyselné snímacie systémy (napr. laserové meranie rozsahu, monitorovanie teploty) vďaka svojej širokej prevádzkovej vlnovej dĺžke (1100-1650nm) a nízkemu tmavému prúdu.

• Priemyselná automatizácia: Integrované do optického komunikačného zariadenia pre automatizáciu továrne, kde dlhá prevádzková životnosť (prostredníctvom laserového zvárania) znižuje náklady na údržbu pre veľkoobchodných zákazníkov InGaAs Photodiode TO46.

 

Predaj jednotiek	Jedna položka
Veľkosť jedného balenia	20X15X5 cm (flexibilné balenie, vhodné pre medzinárodnú prepravu)
Jedna hrubá hmotnosť	0,250 kg

Množstvo (kusy)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Dodacia lehota (dni)	14	20	30	Na vyjednávanie

Ponúkame vlastné InGaAs Photodiode ODM riešenia, ktoré zodpovedajú vašim špecifickým požiadavkám:

• Prispôsobiteľné parametre: Priemer fotocitlivej oblasti (32μm/50μm/75μm), typ balenia (TO46/TO56), dĺžka elektródy a dizajn šošovky.

• Vývojový cyklus: 7-15 dní (najskôr vzorka; hromadná výroba začína po schválení vzorky).

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ	Max.	Jednotka
Saturačná sila	Ps	3	-	-	dBm
Dopredný prúd	Ak	-	-	10	mA
Reverzné napätie	Vr	-	5	15	V
Teplota prevádzkového prípadu	Hore	-40	-	85	stupňa
Skladovacia teplota	Tstg	-40	-	85	stupňa
Spájkovanie olovom (teplota/čas)	-	-	260/10	-	stupeň /sek

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ	Max.	Jednotka	Skúšobná podmienka
Prevádzková vlnová dĺžka	λ	1100	-	1650	nm
Schopnosť reagovať	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Temný prúd	Id	-	0.2	1	nA	V=5V
Kapacita	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz, prípad otvorený
Šírka pásma	Bw	10	-	-	GHz	Vr=5V,50 zaťaženie s dĺžkou vodiča=6mm, puzdro otvorené
Optická návratová strata	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

Populárne Tagy: 32μm 10g ingaas fotodióda to46, Čína 32μm 10g ingaas fotodióda to46 výrobcovia, dodávatelia, továreň